Si&GaN射频芯片

ZS2731-5/20/75/130

ZS3135-5/20/60/90S

GL-BFT92

GL-NE02100

射频大功率器件

ZS2731系列,工作频率2.7-3.1GHz,输出功率5W、20W、75W、130W微波功率器件,效率30%-45%。

ZS3135系列,工作频率3.1-3.5GHz,输出功率5W、20W、60W、90W微波功率器件,效率30%-35%。

PNP微波低噪声晶体管芯片

5G PNP silicon,特性对应BF92。

GL-BFT92是一种具有卓越高频特性的硅PNP平面外延型晶体管芯片。该芯片管芯面积适中,阻抗易匹配,主要应用于VHF、UHF和微波频率的低噪声、宽带放大器等领域,具有较高的电性能和极高的可靠性。   详细信息》

NPN微波低噪声晶体管芯片

8G NPN silicon,特性对应NE02100。

GL-NE02100是一种具有卓越高频特性的硅NPN平面外延型晶体管芯片。该芯片采用周期为5μm的梳状发射极结构,管芯面积适中,阻抗易匹配,主要应用于VHF、UHF和微波频率的低噪声、宽带放大器等领域。该芯片采用硅微波功率器件专用生产线生产,具有较高的电性能和极高的可靠性。  详细信息》



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