硅NPN微波低噪声晶体管芯片


GL-NE02100是一种具有卓越高频特性的硅NPN平面外延型晶体管芯片。该芯片采用周期为5μm的梳状发射极结构,管芯面积适中,阻抗易匹配,主要应用于VHF、UHF和微波频率的低噪声、宽带放大器等领域。该芯片采用硅微波功率器件专用生产线生产,具有较高的电性能和极高的可靠性


主要特点:


低噪声:


  • NFo=1.3dB@f=900MHz

  • NFo=2.1dB@f=1.8GHz


高增益:


  • Gum=17.5dB@f=900MHz

  • Gum=11.05dB@f=1.8GHz



高截止频率


  • fT=8.0 GHz



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